창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NOSC686M006S0200 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NOS OxiCap Low ESR Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 산화 니오븀 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | OxiCap® NOS | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 68µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 6.3V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 200m옴 | |
| 전류 - 누설 | 8.2µA | |
| 손실 계수 | 6% | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2312(6032 미터법) | |
| 제조업체 크기 코드 | C | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.122"(3.10mm) | |
| 특징 | 저ESR | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 478-7518-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NOSC686M006S0200 | |
| 관련 링크 | NOSC686M0, NOSC686M006S0200 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SA100CAHE3/73 | TVS DIODE 100VWM 162VC DO204AC | SA100CAHE3/73.pdf | |
![]() | 416F40612ITT | 40.61MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40612ITT.pdf | |
![]() | OP775B | PHOTOTRNS NPN W/CAP SIDE LOOK | OP775B.pdf | |
![]() | HZU3.6BTT | HZU3.6BTT RENESAS O805 | HZU3.6BTT.pdf | |
![]() | K6R4016VID-UI10 | K6R4016VID-UI10 SA SMD or Through Hole | K6R4016VID-UI10.pdf | |
![]() | FX507-TL-E | FX507-TL-E SANYO SOP6 | FX507-TL-E.pdf | |
![]() | 5678ETJ | 5678ETJ MAXIM THINQFN | 5678ETJ.pdf | |
![]() | B32520C0224J000 | B32520C0224J000 EPCOS DIP | B32520C0224J000.pdf | |
![]() | ECQE2105KS | ECQE2105KS PAN CAP | ECQE2105KS.pdf | |
![]() | QM151DY-H | QM151DY-H MITSUBISHI SMD or Through Hole | QM151DY-H.pdf |