창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NOIP1SE5000A-QDI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NOIP1SN5000A, NOIP1SN2000A | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 이미지 센서, 카메라 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | PYTHON | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | CMOS, 프로세서 포함 | |
픽셀 크기 | 4.8µm x 4.8µm | |
능동 픽셀 어레이 | 2592H x 2048V | |
초당 프레임 | 100 | |
전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
패키지/케이스 | 84-LCC | |
공급 장치 패키지 | 84-LCC(19x19) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C(TJ) | |
표준 포장 | 42 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NOIP1SE5000A-QDI | |
관련 링크 | NOIP1SE50, NOIP1SE5000A-QDI 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | UKW1E332MHD1TN | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UKW1E332MHD1TN.pdf | |
![]() | MHQ1005P82NJT000 | 82nH Unshielded Multilayer Inductor 160mA 2.3 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P82NJT000.pdf | |
![]() | LQW2BASR12J00L | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 510 mOhm Max 0806 (2015 Metric) | LQW2BASR12J00L.pdf | |
![]() | Y112115K0000B9R | RES SMD 15KOHM 0.1% 0.16W J LEAD | Y112115K0000B9R.pdf | |
![]() | T492C475K025BS | T492C475K025BS KEMET SMD | T492C475K025BS.pdf | |
![]() | ESMM451VSN181MA25T | ESMM451VSN181MA25T NIPPONCHEMI-COM DIP | ESMM451VSN181MA25T.pdf | |
![]() | SG140-12K/883B | SG140-12K/883B SG CAN2 | SG140-12K/883B.pdf | |
![]() | 7-175643-2 | 7-175643-2 Tyco/AMP NA | 7-175643-2.pdf | |
![]() | PSB2161T-V1.1 | PSB2161T-V1.1 Infineon SOP28 | PSB2161T-V1.1.pdf | |
![]() | SST85LP1002A-M-C-LBTE | SST85LP1002A-M-C-LBTE SST SMD or Through Hole | SST85LP1002A-M-C-LBTE.pdf | |
![]() | MR27V12850J-014TN03A | MR27V12850J-014TN03A TOSHIBA TSSOP | MR27V12850J-014TN03A.pdf | |
![]() | U83143-HE013H | U83143-HE013H ORIGINAL SMD or Through Hole | U83143-HE013H.pdf |