홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NJVMJD45H11D3T4G

ON Semiconductor NJVMJD45H11D3T4G

NJVMJD45H11D3T4G
제조업체 부품 번호
NJVMJD45H11D3T4G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
NJVMJD45H11D3T4G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 6,424.70400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NJVMJD45H11D3T4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NJVMJD45H11D3T4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NJVMJD45H11D3T4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NJVMJD45H11D3T4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NJVMJD45H11D3T4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NJVMJD45H11D3T4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD44H11, MJD45H11
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)8A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)80V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce40 @ 4A, 1V
전력 - 최대20W
주파수 - 트랜지션90MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NJVMJD45H11D3T4G
관련 링크NJVMJD45H, NJVMJD45H11D3T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NJVMJD45H11D3T4G 의 관련 제품
10µF 35V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) CC1210KKX5RGBB106.pdf
47K 4X4 ORIGINAL SMD 47K 4X4.pdf
SLV2.8-4 SC SOP-8 SLV2.8-4.pdf
C2012CH1H050CT-A TDK SMD or Through Hole C2012CH1H050CT-A.pdf
SM16J45. TOS TO-220 SM16J45..pdf
AM26LS31CP AMD DIP-16 AM26LS31CP.pdf
KA22429/0429 SAMSUNG SMD KA22429/0429.pdf
TSA5342 PHILIPS TSSOP44 TSA5342.pdf
WM8312 ORIGINAL SMD or Through Hole WM8312.pdf
MAX6897PAZT MAXIM SOT MAX6897PAZT.pdf
CDRH5D14-5R1NC SUMIDA SMD CDRH5D14-5R1NC.pdf
OA-980 (OASIS-0514-0) OASIS PQFP208 OA-980 (OASIS-0514-0).pdf