창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NGB8204ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NGB8204N | |
PCN 조립/원산지 | Metal Capacity Expansion 13/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 430V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 18A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 50A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 4V, 15A | |
전력 - 최대 | 115W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 논리 | |
게이트 전하 | - | |
Td(온/오프) @ 25°C | - | |
테스트 조건 | - | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | NGB8204ANT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NGB8204ANT4G | |
관련 링크 | NGB8204, NGB8204ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F38425IAR | 38.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38425IAR.pdf | |
![]() | MMBZ5230B-G3-08 | DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3 | MMBZ5230B-G3-08.pdf | |
![]() | 1N4746A G | DIODE ZENER 18V 1W DO204AL | 1N4746A G.pdf | |
![]() | TNPW080561R9BEEN | RES SMD 61.9 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080561R9BEEN.pdf | |
![]() | RN73C1J133RBTG | RES SMD 133 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J133RBTG.pdf | |
![]() | S912XET256J1CAA | S912XET256J1CAA FRE Call | S912XET256J1CAA.pdf | |
![]() | 12121REVF | 12121REVF ORIGINAL PLCC68 | 12121REVF.pdf | |
![]() | AD706RAN | AD706RAN AD DIP-8 | AD706RAN.pdf | |
![]() | DS8709 | DS8709 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS8709.pdf | |
![]() | DS-9011 | DS-9011 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS-9011.pdf | |
![]() | S-100-18 100W18V/5.6A | S-100-18 100W18V/5.6A ORIGINAL SMD or Through Hole | S-100-18 100W18V/5.6A.pdf | |
![]() | MD80C31BH/C | MD80C31BH/C INTEL SMD or Through Hole | MD80C31BH/C.pdf |