창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NE556DBR * | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NE556DBR * | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | Call | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NE556DBR * | |
| 관련 링크 | NE556D, NE556DBR * 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C3216X6S1A685K085AB | 6.8µF 10V 세라믹 커패시터 X6S 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X6S1A685K085AB.pdf | |
![]() | GCM2165C1H132JA16D | 1300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GCM2165C1H132JA16D.pdf | |
![]() | TAJS685K006RNJ | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1206 (3216 Metric) 2.6 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TAJS685K006RNJ.pdf | |
![]() | S3DHE3_A/I | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | S3DHE3_A/I.pdf | |
![]() | RT0603CRC0724K3L | RES SMD 24.3K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRC0724K3L.pdf | |
![]() | MC100E107FN. | MC100E107FN. ONsemi PLCC28 | MC100E107FN..pdf | |
![]() | 06K8572 PQ | 06K8572 PQ FORCE SMD or Through Hole | 06K8572 PQ.pdf | |
![]() | LM2651MTC-ADJ/NOPB | LM2651MTC-ADJ/NOPB NS TSSOP | LM2651MTC-ADJ/NOPB.pdf | |
![]() | H30N60D1 | H30N60D1 ORIGINAL SMD or Through Hole | H30N60D1.pdf | |
![]() | 28F800C3BA-90 | 28F800C3BA-90 INTEL SMD or Through Hole | 28F800C3BA-90.pdf | |
![]() | KA-3528ASYCK | KA-3528ASYCK kingbright 1210 | KA-3528ASYCK.pdf |