창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDT3055L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDT3055L MA04A Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
| PCN 포장 | Black Plastic Reel Update 30/Jun/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 345pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.1W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | NDT3055LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDT3055L | |
| 관련 링크 | NDT3, NDT3055L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CKR16BR225MS | CKR16BR225MS AVX SMD | CKR16BR225MS.pdf | |
![]() | T6M10F600B | T6M10F600B LITEON/ TO-220 | T6M10F600B.pdf | |
![]() | BAV99S(K1) | BAV99S(K1) PHILIPS SOT363 | BAV99S(K1).pdf | |
![]() | 72071BO | 72071BO TEXAS QFN | 72071BO.pdf | |
![]() | 7N60L-A TO-220F1 | 7N60L-A TO-220F1 UTC SMD or Through Hole | 7N60L-A TO-220F1.pdf | |
![]() | 16CTQ100GSTRLP | 16CTQ100GSTRLP IR SMD or Through Hole | 16CTQ100GSTRLP.pdf | |
![]() | MAX6735KASYD3-T | MAX6735KASYD3-T MAXIM SOT23-8 | MAX6735KASYD3-T.pdf | |
![]() | RCE9A-A102J | RCE9A-A102J ORIGINAL SMD or Through Hole | RCE9A-A102J.pdf | |
![]() | XCF04SV0G20 | XCF04SV0G20 XILINX tSSOP20 | XCF04SV0G20.pdf | |
![]() | PH163112E | PH163112E YCL SOP | PH163112E.pdf | |
![]() | DTH1132 | DTH1132 ORIGINAL IC | DTH1132.pdf |