창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDP6060L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDP6060L, NDB6060L TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDP6060L | |
관련 링크 | NDP6, NDP6060L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DSC1121AI2-163.8400T-N | 163.84MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121AI2-163.8400T-N.pdf | |
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![]() | ERJ-B3BFR30V | RES SMD 0.3 OHM 1/2W 0805 WIDE | ERJ-B3BFR30V.pdf | |
![]() | LDBAB2680GC5N0 | LDBAB2680GC5N0 ARCOTRONI SMD | LDBAB2680GC5N0.pdf | |
![]() | C25009 | C25009 ORIGINAL DIP | C25009.pdf | |
![]() | CK1E476M6L006VR259 | CK1E476M6L006VR259 SAMWHA SMD or Through Hole | CK1E476M6L006VR259.pdf | |
![]() | 222203636221- | 222203636221- VISHAY DIP | 222203636221-.pdf | |
![]() | 6448004910A | 6448004910A ORIGINAL DIP28 | 6448004910A.pdf | |
![]() | D18AA14194304MHZ | D18AA14194304MHZ N/A SMD or Through Hole | D18AA14194304MHZ.pdf | |
![]() | WP92511 | WP92511 NSC SMD or Through Hole | WP92511.pdf | |
![]() | ELF21V017S | ELF21V017S Panasonic DIP | ELF21V017S.pdf | |
![]() | AP1122DG-13-01 | AP1122DG-13-01 ORIGINAL TO-252 | AP1122DG-13-01.pdf |