창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDBA180N10BT4H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDBA180N10B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 50A, 15V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6950pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDBA180N10BT4H | |
관련 링크 | NDBA180N, NDBA180N10BT4H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
CL10B103KA8NNNC | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10B103KA8NNNC.pdf | ||
K332K20C0GH5UL2 | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K332K20C0GH5UL2.pdf | ||
VJ1210A182KBBAT4X | 1800pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A182KBBAT4X.pdf | ||
T491D107M016ZT | 100µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T491D107M016ZT.pdf | ||
PACDN042YB4 | PACDN042YB4 CMD SOT-323 | PACDN042YB4.pdf | ||
VT1723-0415CD | VT1723-0415CD ORIGINAL QFP | VT1723-0415CD.pdf | ||
DF1100-16.0/10.0M | DF1100-16.0/10.0M PLETRONICS SMD | DF1100-16.0/10.0M.pdf | ||
JSPQ-350+ | JSPQ-350+ MINI SMD or Through Hole | JSPQ-350+.pdf | ||
B4393ACM | B4393ACM EL SMD16 | B4393ACM.pdf | ||
KS57C5404-21 | KS57C5404-21 SAMSUNG DIP | KS57C5404-21.pdf | ||
2SD1936-U | 2SD1936-U SANYO TO-92S | 2SD1936-U.pdf | ||
5SF-85572-00802 | 5SF-85572-00802 YAMAHA QFP | 5SF-85572-00802.pdf |