홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » NDBA170N06AT4H

ON Semiconductor NDBA170N06AT4H

NDBA170N06AT4H
제조업체 부품 번호
NDBA170N06AT4H
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 170A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
NDBA170N06AT4H 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,112.49250
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NDBA170N06AT4H 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NDBA170N06AT4H 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NDBA170N06AT4H가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NDBA170N06AT4H 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NDBA170N06AT4H 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NDBA170N06AT4H
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NDBA170N06A
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C170A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.3m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.6V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs280nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds15800pF @ 20V
전력 - 최대90W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D²PAK(TO-263)
표준 포장 800
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NDBA170N06AT4H
관련 링크NDBA170N, NDBA170N06AT4H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NDBA170N06AT4H 의 관련 제품
RES SMD 1K OHM 5% 22W 2512 RCP2512B1K00JED.pdf
105W5R104K10AT KYOCERA SMD 105W5R104K10AT.pdf
1812-51.1K ORIGINAL SMD or Through Hole 1812-51.1K.pdf
BUK7277-55A118 PHILIPS SMD or Through Hole BUK7277-55A118.pdf
HG62E22R40FB HITACHI QFP HG62E22R40FB.pdf
QVE00120 FAIRCHILD SMD or Through Hole QVE00120.pdf
M25P80-VMW6G-NUMONYX ORIGINAL SMD or Through Hole M25P80-VMW6G-NUMONYX.pdf
CY10X38G2 Littelfuse SMD or Through Hole CY10X38G2.pdf
ME2100A331PG Micr SOT-89 ME2100A331PG.pdf
3525M/SG3525 ST SOP16 3525M/SG3525.pdf
LH534K9Y ORIGINAL DIP LH534K9Y.pdf
PH50S48-28 LAMBDA SMD or Through Hole PH50S48-28.pdf