창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR40005CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR40005CT thru 40020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR40005CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR40005CTR | |
| 관련 링크 | MUR400, MUR40005CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ2225A822KBAAT4X | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A822KBAAT4X.pdf | |
![]() | IRLZ24STRL | MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK | IRLZ24STRL.pdf | |
![]() | SRF1260-8R2Y | Shielded 2 Coil Inductor Array 32.8µH Inductance - Connected in Series 8.2µH Inductance - Connected in Parallel 19.4 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 5.54A Nonstandard | SRF1260-8R2Y.pdf | |
![]() | 511R-38H | 5.1µH Unshielded Wirewound Inductor 570mA 360 mOhm Max Axial | 511R-38H.pdf | |
![]() | KXSD9-3360 R1V4 RB | KXSD9-3360 R1V4 RB KIONIX SMD or Through Hole | KXSD9-3360 R1V4 RB.pdf | |
![]() | RH125-18UH | RH125-18UH ORIGINAL SMD or Through Hole | RH125-18UH.pdf | |
![]() | 2625-5 | 2625-5 HAR DIP-8 | 2625-5.pdf | |
![]() | SA0426 | SA0426 NSC DIP-8 | SA0426.pdf | |
![]() | UPRMA1B05 | UPRMA1B05 CPCLARE Stick | UPRMA1B05.pdf | |
![]() | TA1365F | TA1365F TOSHIBA SMD or Through Hole | TA1365F.pdf |