창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR20020CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR20005CT thru MUR20020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 75ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR20020CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR20020CT | |
| 관련 링크 | MUR200, MUR20020CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 08051A9R1DAT2A | 9.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A9R1DAT2A.pdf | |
![]() | RT0805FRE0776R8L | RES SMD 76.8 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE0776R8L.pdf | |
![]() | SKT12/06CQ | SKT12/06CQ SEMIKRON MODULE | SKT12/06CQ.pdf | |
![]() | AT2416BN-SH-B | AT2416BN-SH-B Atmel SMD or Through Hole | AT2416BN-SH-B.pdf | |
![]() | 552699-5 | 552699-5 teconnectivity SMD or Through Hole | 552699-5.pdf | |
![]() | ECLA251ETD150MJ20S | ECLA251ETD150MJ20S Chemi-con na | ECLA251ETD150MJ20S.pdf | |
![]() | B59641A0125A062 | B59641A0125A062 EPCOS NA | B59641A0125A062.pdf | |
![]() | MAX808LCSA/LESA | MAX808LCSA/LESA MAXIM SOP8 | MAX808LCSA/LESA.pdf | |
![]() | 74ALS30A | 74ALS30A TI SOP | 74ALS30A.pdf | |
![]() | SA572T | SA572T PHIL DIP SOP | SA572T.pdf | |
![]() | IEC60127-3/4 | IEC60127-3/4 WICKMANN FUSE35A | IEC60127-3/4.pdf | |
![]() | IRFJ322 | IRFJ322 IR TO-3 | IRFJ322.pdf |