창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN1R8-40YLC,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN1R8-40YLC | |
| PCN 설계/사양 | New Clip Design 16/Mar/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 12/Jan/2015 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6680pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 272W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-10156-2 934066914115 PSMN1R8-40YLC,115-ND PSMN1R840YLC115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN1R8-40YLC,115 | |
| 관련 링크 | PSMN1R8-40, PSMN1R8-40YLC,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
|  | DPP6S47K-F | 0.047µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.260" L x 0.492" W (32.00mm x 12.50mm) | DPP6S47K-F.pdf | |
|  | ADP3208AJCPZ | ADP3208AJCPZ ON SMD or Through Hole | ADP3208AJCPZ.pdf | |
|  | EPF8282ATC100-4/3 | EPF8282ATC100-4/3 ALTERA TQFP100 | EPF8282ATC100-4/3.pdf | |
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|  | TLP118(TPL,E | TLP118(TPL,E TOSHIBA SOP-5 | TLP118(TPL,E.pdf | |
|  | HS649AC | HS649AC ORIGINAL TO-126ML | HS649AC.pdf | |
|  | VN20 -260L-751JT | VN20 -260L-751JT CTC SMD | VN20 -260L-751JT.pdf | |
|  | KIRA100-RO2 | KIRA100-RO2 Raritan BGA | KIRA100-RO2.pdf | |
|  | 80L02S | 80L02S ORIGINAL to-263 | 80L02S.pdf |