창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN1R8-40YLC,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN1R8-40YLC | |
PCN 설계/사양 | New Clip Design 16/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 12/Jan/2015 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6680pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 272W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-10156-2 934066914115 PSMN1R8-40YLC,115-ND PSMN1R840YLC115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN1R8-40YLC,115 | |
관련 링크 | PSMN1R8-40, PSMN1R8-40YLC,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | PLT0603Z6341LBTS | RES SMD 6.34K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z6341LBTS.pdf | |
![]() | E61-00K | E61-00K Cherry SMD or Through Hole | E61-00K.pdf | |
![]() | HD44790A20 | HD44790A20 HITACHI QFP | HD44790A20.pdf | |
![]() | 334J 250VDC | 334J 250VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 334J 250VDC.pdf | |
![]() | 014DM210 | 014DM210 NS TO220 | 014DM210.pdf | |
![]() | A3046EU | A3046EU Allegro SIP-3 | A3046EU.pdf | |
![]() | 12041352 | 12041352 Delphi SMD or Through Hole | 12041352.pdf | |
![]() | MPS2304DR | MPS2304DR MPS QFN16 | MPS2304DR.pdf | |
![]() | XL2596T-3.3E1 | XL2596T-3.3E1 ORIGINAL TO220-5L | XL2596T-3.3E1.pdf | |
![]() | 54F521FMQB/QS | 54F521FMQB/QS NSC SMD or Through Hole | 54F521FMQB/QS.pdf |