창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR10010CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR10005CT thru 10020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 75ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR10010CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR10010CT | |
| 관련 링크 | MUR100, MUR10010CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1122DI2-156.2500T | 156.25MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 58mA Enable/Disable | DSC1122DI2-156.2500T.pdf | |
![]() | SC400-66AI | SC400-66AI AMD BGA | SC400-66AI.pdf | |
![]() | 25C040ISN | 25C040ISN ARROW SOP8 | 25C040ISN.pdf | |
![]() | AT45DB041-RC | AT45DB041-RC NA/ SOP | AT45DB041-RC.pdf | |
![]() | IDT89HI0524G2PSZCALG | IDT89HI0524G2PSZCALG ORIGINAL SMD or Through Hole | IDT89HI0524G2PSZCALG.pdf | |
![]() | RX27-3Y-5W- 10 | RX27-3Y-5W- 10 ORIGINAL N A | RX27-3Y-5W- 10.pdf | |
![]() | MEC 224J63VF4 | MEC 224J63VF4 (YUAYU) SMD or Through Hole | MEC 224J63VF4.pdf | |
![]() | EDD10163BBH-5BLS-F | EDD10163BBH-5BLS-F ELPIDAME BGA | EDD10163BBH-5BLS-F.pdf | |
![]() | NF-6150E-N-A3 | NF-6150E-N-A3 NDVIDN BGA | NF-6150E-N-A3.pdf | |
![]() | DS90CR286 | DS90CR286 NS QFP56 | DS90CR286.pdf | |
![]() | GF06UTB201M | GF06UTB201M TOCOS SMD or Through Hole | GF06UTB201M.pdf | |
![]() | 1564159-1 | 1564159-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1564159-1.pdf |