창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUN5131T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)131, MMUN2131L, DTA123Exx, NSBA123EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 29/Oct/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 2.2k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 202mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-3(SOT323) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUN5131T1G | |
| 관련 링크 | MUN513, MUN5131T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 8532R-47H | 6.8mH Unshielded Inductor 150mA 15 Ohm Max 2-SMD | 8532R-47H.pdf | |
![]() | ERJ-P14J223U | RES SMD 22K OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-P14J223U.pdf | |
![]() | CMF5542R200DHRE | RES 42.2 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5542R200DHRE.pdf | |
![]() | MB90F055PFV | MB90F055PFV FUJITSU QFP | MB90F055PFV.pdf | |
![]() | TAJA106K016R | TAJA106K016R AVX SMD or Through Hole | TAJA106K016R.pdf | |
![]() | 10073599014LF | 10073599014LF FRAMATOME SMD or Through Hole | 10073599014LF.pdf | |
![]() | NJM084M-TE1-#ZZZB | NJM084M-TE1-#ZZZB JRC DMP14 | NJM084M-TE1-#ZZZB.pdf | |
![]() | UPD160083N-052 | UPD160083N-052 NEC SMD or Through Hole | UPD160083N-052.pdf | |
![]() | CD4099BMJ/883 | CD4099BMJ/883 NS DIP | CD4099BMJ/883.pdf | |
![]() | SN54S760J | SN54S760J TI SMD or Through Hole | SN54S760J.pdf | |
![]() | 5962R9957301QYC | 5962R9957301QYC XILINX SMD or Through Hole | 5962R9957301QYC.pdf | |
![]() | MCP112T-240EMB | MCP112T-240EMB Microchip SOT-89 | MCP112T-240EMB.pdf |