창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MT8530NFEG/B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MT8530NFEG/B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MT8530NFEG/B | |
| 관련 링크 | MT8530N, MT8530NFEG/B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1HR50BA01J | 0.50pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1HR50BA01J.pdf | |
![]() | VJ2220Y334KBPAT4X | 0.33µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y334KBPAT4X.pdf | |
![]() | CBC3225T102KR | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 13 Ohm 1210 (3225 Metric) | CBC3225T102KR.pdf | |
![]() | RT1206DRE0711R8L | RES SMD 11.8 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0711R8L.pdf | |
![]() | WNB470FET | RES 470 OHM 1W 1% AXIAL | WNB470FET.pdf | |
![]() | 2383D | 2383D JRC DIP14 | 2383D.pdf | |
![]() | 9T18H | 9T18H AP TO252 | 9T18H.pdf | |
![]() | RG063X501M | RG063X501M TOCOS SMD or Through Hole | RG063X501M.pdf | |
![]() | MTG90-12/16 | MTG90-12/16 CHINA SMD or Through Hole | MTG90-12/16.pdf | |
![]() | R1354 | R1354 RochesterElectron SMD or Through Hole | R1354.pdf | |
![]() | ST72751N7B1/ABK | ST72751N7B1/ABK ST DIP | ST72751N7B1/ABK.pdf | |
![]() | RN1/4WT1750K1% | RN1/4WT1750K1% SEI RES | RN1/4WT1750K1%.pdf |