창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSM514800CSL60JS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MSM514800CSL60JS | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOJ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MSM514800CSL60JS | |
| 관련 링크 | MSM514800, MSM514800CSL60JS 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 0603ZC273KAT4A | 0.027µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603ZC273KAT4A.pdf | |
![]() | MAL219612105E3 | 1F Supercap 5.5V Radial, Can 1000 Hrs @ 70°C 0.827" Dia (21.00mm) | MAL219612105E3.pdf | |
![]() | Y11722K00000T0W | RES SMD 2K OHM 0.01% 1/10W 0805 | Y11722K00000T0W.pdf | |
![]() | KM48C2104CSL6 | KM48C2104CSL6 Samsung IC EDO DRAM 16M(2M 8 | KM48C2104CSL6.pdf | |
![]() | M25PX16SOVZM6 | M25PX16SOVZM6 Numonyx TBGA-24 | M25PX16SOVZM6.pdf | |
![]() | D659S14 | D659S14 EUPEC SMD or Through Hole | D659S14.pdf | |
![]() | GMR10H100CTC3 | GMR10H100CTC3 GAMMA TO220 | GMR10H100CTC3.pdf | |
![]() | BGY582 | BGY582 PHI SMD or Through Hole | BGY582.pdf | |
![]() | PC910V | PC910V SHARP DIP6 | PC910V.pdf | |
![]() | S56F8345VFQE | S56F8345VFQE ORIGINAL SMD or Through Hole | S56F8345VFQE.pdf | |
![]() | MCM2012NF2-12TT04 | MCM2012NF2-12TT04 YOSONIC SMD or Through Hole | MCM2012NF2-12TT04.pdf | |
![]() | 62C25670U | 62C25670U ISSI SOP-28 | 62C25670U.pdf |