창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MRFE6VP8600HSR6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MRFE6VP8600H | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 06/Mar/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
| 주파수 | 860MHz | |
| 이득 | 19.3dB | |
| 전압 - 테스트 | 50V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.4A | |
| 전력 - 출력 | 125W | |
| 전압 - 정격 | 130V | |
| 패키지/케이스 | NI-1230S | |
| 공급 장치 패키지 | NI-1230S | |
| 표준 포장 | 150 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MRFE6VP8600HSR6 | |
| 관련 링크 | MRFE6VP86, MRFE6VP8600HSR6 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | ICL7665SACBAZ-T | ICL7665SACBAZ-T IT SMD or Through Hole | ICL7665SACBAZ-T.pdf | |
![]() | BU5147AK | BU5147AK MITSUMI QFP | BU5147AK.pdf | |
![]() | SFECV10.7MS2S-A-TC | SFECV10.7MS2S-A-TC MURATA SMD | SFECV10.7MS2S-A-TC.pdf | |
![]() | UPC8211TK-EV24 | UPC8211TK-EV24 NEC/CEL SMD or Through Hole | UPC8211TK-EV24.pdf | |
![]() | 1210-15M | 1210-15M ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-15M.pdf | |
![]() | AME8800HEETZ/AED | AME8800HEETZ/AED AME SOT-23 | AME8800HEETZ/AED.pdf | |
![]() | APW7060AF513 | APW7060AF513 APW SOP14 | APW7060AF513.pdf | |
![]() | CY62126VLL-55ZC | CY62126VLL-55ZC CYPRESS TSOP-44 | CY62126VLL-55ZC.pdf | |
![]() | TALN-H200T | TALN-H200T LGS SMD or Through Hole | TALN-H200T.pdf | |
![]() | MAX421CWE | MAX421CWE MAXIM DIP SOP | MAX421CWE.pdf | |
![]() | K4S563233F-HNDP | K4S563233F-HNDP SAMSUNG BGA90 | K4S563233F-HNDP.pdf | |
![]() | KS57P5404 | KS57P5404 ORIGINAL DIP | KS57P5404.pdf |