창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MNR14E0ABJ3R3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MNR14E0ABJ Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | MNR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
회로 유형 | 절연 | |
저항(옴) | 3.3 | |
허용 오차 | ±5% | |
저항기 개수 | 4 | |
핀 개수 | 8 | |
소자별 전력 | 62.5mW | |
온도 계수 | ±500ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법), 볼록형, 장측 단자 | |
공급 장치 패키지 | - | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.024"(0.60mm) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | MNR143R3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MNR14E0ABJ3R3 | |
관련 링크 | MNR14E0, MNR14E0ABJ3R3 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
CKG57KX7R2E105M335JJ | 1µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 비표준 SMD 0.236" L x 0.197" W(6.00mm x 5.00mm) | CKG57KX7R2E105M335JJ.pdf | ||
![]() | 158X104K | 0.1µF Film Capacitor 275V Polyester, Metallized Radial 0.669" L x 0.315" W (17.00mm x 8.00mm) | 158X104K.pdf | |
![]() | BGU8052X | RF Amplifier IC GSM, LTE, W-CDMA 1.5GHz ~ 2.5GHz 8-HWSON (2x2) | BGU8052X.pdf | |
![]() | LMBT3904LT1G-SOT23 | LMBT3904LT1G-SOT23 LRC SOT23 | LMBT3904LT1G-SOT23.pdf | |
![]() | PIN-RD100(A) | PIN-RD100(A) OEC SMD or Through Hole | PIN-RD100(A).pdf | |
![]() | UDK | UDK SON SMD or Through Hole | UDK.pdf | |
![]() | D09P13A4PA00 | D09P13A4PA00 FRAMATOMECONNECTORS SMD or Through Hole | D09P13A4PA00.pdf | |
![]() | M6MGK137S8A-WG | M6MGK137S8A-WG NSC NULL | M6MGK137S8A-WG.pdf | |
![]() | 8X16DDR T8OP | 8X16DDR T8OP ORIGINAL BGA | 8X16DDR T8OP.pdf | |
![]() | 2G14S51 | 2G14S51 RADITEK SMD or Through Hole | 2G14S51.pdf | |
![]() | K4S281632D-TL60 | K4S281632D-TL60 SAMSUNG SOP | K4S281632D-TL60.pdf | |
![]() | Z53C80003VSC | Z53C80003VSC ZILOG PLCC | Z53C80003VSC.pdf |