창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMUN2135LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5135, DTA123Jxx, NSBA123JF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMUN2135LT1G | |
| 관련 링크 | MMUN213, MMUN2135LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B41858C7157M8 | 150µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 274 mOhm @ 10kHz 3000 Hrs @ 105°C | B41858C7157M8.pdf | |
![]() | RMCF0603JG2M70 | RES SMD 2.7M OHM 5% 1/10W 0603 | RMCF0603JG2M70.pdf | |
![]() | CRCW12106R98FKEAHP | RES SMD 6.98 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW12106R98FKEAHP.pdf | |
![]() | HP3700V | HP3700V AVAGO DIP SOP8 | HP3700V.pdf | |
![]() | HD6340RP | HD6340RP HITACHI DIP-28 | HD6340RP.pdf | |
![]() | 2SK543-4-TB-E | 2SK543-4-TB-E SANYO SOT23 | 2SK543-4-TB-E.pdf | |
![]() | P9NB65FP | P9NB65FP ORIGINAL TO263-3 | P9NB65FP.pdf | |
![]() | SM811G AG | SM811G AG SMI BGA | SM811G AG.pdf | |
![]() | TG74-0456N1RL | TG74-0456N1RL HALO SOP16 | TG74-0456N1RL.pdf | |
![]() | 88RLH160 | 88RLH160 IR SMD or Through Hole | 88RLH160.pdf | |
![]() | NB4N1158DTR2G | NB4N1158DTR2G ONS SMD or Through Hole | NB4N1158DTR2G.pdf | |
![]() | DS1250IND150 | DS1250IND150 DS DIP | DS1250IND150.pdf |