창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMST5551-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMST5551 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Copper bond wire 23/Feb/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Revision 23/Feb/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1570 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 160V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
주파수 - 트랜지션 | 300MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMST5551-FDITR MMST55517F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMST5551-7-F | |
관련 링크 | MMST555, MMST5551-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RCP1206B18R0JET | RES SMD 18 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B18R0JET.pdf | |
![]() | CRCW060364K9FKTC | RES SMD 64.9K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060364K9FKTC.pdf | |
![]() | MMBT2222LT1G-ON | MMBT2222LT1G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBT2222LT1G-ON.pdf | |
![]() | EVBSH7125-CARRIER-USB | EVBSH7125-CARRIER-USB Glyn SMD or Through Hole | EVBSH7125-CARRIER-USB.pdf | |
![]() | 25XR2MegLF | 25XR2MegLF BI DIP | 25XR2MegLF.pdf | |
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![]() | ACE50725BM+ | ACE50725BM+ ACE SMD or Through Hole | ACE50725BM+.pdf | |
![]() | FH28-40/20/SB-1SH/05 | FH28-40/20/SB-1SH/05 HIROSE SMD or Through Hole | FH28-40/20/SB-1SH/05.pdf | |
![]() | XLS408WD0800 | XLS408WD0800 ORIGINAL BGA | XLS408WD0800.pdf | |
![]() | EP20K30EFC144-2X | EP20K30EFC144-2X ALTERA BGA | EP20K30EFC144-2X.pdf | |
![]() | LPC2294FBD/01 | LPC2294FBD/01 NXP SMD or Through Hole | LPC2294FBD/01.pdf |