창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMRF2010GNR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMRF2010(G)N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 1.09GHz | |
이득 | 32.1dB | |
전압 - 테스트 | 50V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 80mA | |
전력 - 출력 | 250W | |
전압 - 정격 | 100V | |
패키지/케이스 | TO-270-14 변형, 갈매기 날개형 | |
공급 장치 패키지 | TO-270 WB-14 GULL | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | MMRF2010GNR1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MMRF2010GNR1 | |
관련 링크 | MMRF201, MMRF2010GNR1 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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S1JFP | DIODE GP 600V 1.2A SOD-123HE | S1JFP.pdf | ||
RSMF2FB221R | RES METAL OX 2W 221 OHM 1% AXL | RSMF2FB221R.pdf | ||
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