창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBT5551LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBT5550L-51L, SMMBT5551L | |
| PCN 설계/사양 | Gold to Copper Wire 08/May/2007 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 600mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 160V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | MMBT5551LT3G-ND MMBT5551LT3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBT5551LT3G | |
| 관련 링크 | MMBT555, MMBT5551LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VS-VSKC196/16PBF | DIODE GEN 1.6KV 97.5A INTAPAK | VS-VSKC196/16PBF.pdf | |
| MBRF12020R | DIODE SCHOTTKY 20V 60A TO244AB | MBRF12020R.pdf | ||
![]() | SU9V-10005 | 500µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 300 mOhm | SU9V-10005.pdf | |
![]() | CRGH2512F10R5 | RES SMD 10.5 OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F10R5.pdf | |
![]() | WSLP59312L000FEB | RES SMD 0.002 OHM 1% 8W 5931 | WSLP59312L000FEB.pdf | |
![]() | TSP25Z6C | TSP25Z6C SANKEN SMD or Through Hole | TSP25Z6C.pdf | |
![]() | D3055GF002 | D3055GF002 NEC QFP | D3055GF002.pdf | |
![]() | TV15C8V5K-G | TV15C8V5K-G COMCHIP DO-214AB | TV15C8V5K-G.pdf | |
![]() | 2N4424-5 | 2N4424-5 GE TO-18 | 2N4424-5.pdf | |
![]() | HGTP10N50E1D | HGTP10N50E1D HAR Call | HGTP10N50E1D.pdf | |
![]() | 3K40 | 3K40 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3K40.pdf | |
![]() | RJK0856DPB | RJK0856DPB Renesas LFPAK | RJK0856DPB.pdf |