창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBFJ175LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMBFJ175LT1 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Fab 31/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | P-Chan | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | 30V | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 7mA @ 15V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 3V @ 10nA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11pF @ 10V(VGS) | |
| 저항 - RDS(On) | 125옴 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MMBFJ175LT3G | |
| 관련 링크 | MMBFJ17, MMBFJ175LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 445A33S27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33S27M00000.pdf | |
![]() | ASTMHTE-13.000MHZ-ZR-E-T3 | 13MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-13.000MHZ-ZR-E-T3.pdf | |
![]() | 3386B-1-204LF | 200k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3386B-1-204LF.pdf | |
![]() | MR27T1602F | MR27T1602F NAME SMD or Through Hole | MR27T1602F.pdf | |
![]() | 0433002.NR(2A) | 0433002.NR(2A) ORIGINAL 1206 | 0433002.NR(2A).pdf | |
![]() | SI3460DDV-T1-E3 | SI3460DDV-T1-E3 VISHAY TSOP-6 | SI3460DDV-T1-E3.pdf | |
![]() | EN693 | EN693 AlphaInd QFN-16 | EN693.pdf | |
![]() | RG82845GV.SL6PU | RG82845GV.SL6PU INTEL BGA | RG82845GV.SL6PU.pdf | |
![]() | LT3958IUHEPBF | LT3958IUHEPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT3958IUHEPBF.pdf | |
![]() | ETRI-F | ETRI-F P/N SIP-10P | ETRI-F.pdf | |
![]() | BLM21AG121SN1B | BLM21AG121SN1B MURATA SMD or Through Hole | BLM21AG121SN1B.pdf |