창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MKP385527063JPP4T0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MKP385 Series Datasheet Film Capacitors Guide Film Capacitors Brochure MKP385 Appendix Ref Data | |
| 애플리케이션 노트 | Soldering Guidelines Appl Note | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 필름 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | MKP385 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 2.7µF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전압 - AC | 220V | |
| 정격 전압 - DC | 630V | |
| 유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 110°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 1.634" L x 0.709" W(41.50mm x 18.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.280"(32.50mm) | |
| 종단 | PC 핀 | |
| 리드 간격 | 1.476"(37.50mm) | |
| 응용 제품 | DC 링크, DC 필터링, 고주파, 스위칭, 고 펄스, DV/DT | |
| 특징 | - | |
| 표준 포장 | 110 | |
| 다른 이름 | 385527063JPP4T0 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MKP385527063JPP4T0 | |
| 관련 링크 | MKP3855270, MKP385527063JPP4T0 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | HCM4924000000AGJT | 24MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4924000000AGJT.pdf | |
![]() | NR10050T100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 4.1A 32.5 mOhm Max Nonstandard | NR10050T100M.pdf | |
![]() | CR0603-JW-824ELF | RES SMD 820K OHM 5% 1/10W 0603 | CR0603-JW-824ELF.pdf | |
![]() | RN73C1E976RBTDF | RES SMD 976 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E976RBTDF.pdf | |
![]() | TNPW201047R5BEEY | RES SMD 47.5 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201047R5BEEY.pdf | |
![]() | 1734035-2 | 1734035-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1734035-2.pdf | |
![]() | RBD-100VR22ME3 | RBD-100VR22ME3 ELNA DIP | RBD-100VR22ME3.pdf | |
![]() | K4M56163PI-BG75TJR | K4M56163PI-BG75TJR SAMSUNG SMD or Through Hole | K4M56163PI-BG75TJR.pdf | |
![]() | LTAAZ | LTAAZ LINER SOT23-6 | LTAAZ.pdf | |
![]() | AR22M3R-11B | AR22M3R-11B FUJI SMD or Through Hole | AR22M3R-11B.pdf | |
![]() | BD46401G-TR | BD46401G-TR ROHM SMD or Through Hole | BD46401G-TR.pdf |