창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MC100LEVL90DWR2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MC100LEVL90DWR2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MC100LEVL90DWR2 | |
| 관련 링크 | MC100LEVL, MC100LEVL90DWR2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C102GBCNNNC | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C102GBCNNNC.pdf | |
![]() | ASTMHTD-120.000MHZ-AC-E-T3 | 120MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-120.000MHZ-AC-E-T3.pdf | |
![]() | HM66A-03182R2NLF13 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 117 mOhm Max Nonstandard | HM66A-03182R2NLF13.pdf | |
![]() | ERJ-B2CJR047V | RES SMD 0.047 OHM 1W 1206 WIDE | ERJ-B2CJR047V.pdf | |
![]() | RG3216N-1210-D-T5 | RES SMD 121 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-1210-D-T5.pdf | |
![]() | 3W1R | 3W1R TY SMD or Through Hole | 3W1R.pdf | |
![]() | DRA480-24A | DRA480-24A CHINFA SMD or Through Hole | DRA480-24A.pdf | |
![]() | DF30FB-80DS-0.4V | DF30FB-80DS-0.4V HRS SMD or Through Hole | DF30FB-80DS-0.4V.pdf | |
![]() | TA2181AFNG(EL) | TA2181AFNG(EL) Toshiba SMD or Through Hole | TA2181AFNG(EL).pdf | |
![]() | K4M513233C-DC75 | K4M513233C-DC75 SAMSUNG FBGA | K4M513233C-DC75.pdf | |
![]() | GL3GC402B0P1 | GL3GC402B0P1 SHARP SMD or Through Hole | GL3GC402B0P1.pdf |