창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRT30035R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRT30020 thru MBRT30040R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 150A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1004 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRT30035R | |
| 관련 링크 | MBRT30, MBRT30035R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 4P036F35IDT | 3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P036F35IDT.pdf | |
![]() | BD679AG | TRANS NPN DARL 80V 4A TO225 | BD679AG.pdf | |
![]() | Y16266K55000B9R | RES SMD 6.55K OHM 0.1% 0.3W 1506 | Y16266K55000B9R.pdf | |
![]() | SSCSNBN001BAAA3 | Pressure Sensor 14.5 PSI (100 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.33 V ~ 2.97 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | SSCSNBN001BAAA3.pdf | |
![]() | MS90335-8B | MS90335-8B HOFFMAN SMD or Through Hole | MS90335-8B.pdf | |
![]() | IS622SMTR | IS622SMTR Isocom SMD or Through Hole | IS622SMTR.pdf | |
![]() | GTQ-1500-T0.25-0011 | GTQ-1500-T0.25-0011 TYCO/RAYCHEM SMD or Through Hole | GTQ-1500-T0.25-0011.pdf | |
![]() | PQ160QH04N | PQ160QH04N NIEC MODULE | PQ160QH04N.pdf | |
![]() | TDA8925ST/N1,112 | TDA8925ST/N1,112 PHI SMD or Through Hole | TDA8925ST/N1,112.pdf | |
![]() | C3757 | C3757 SANYO TO-220 | C3757.pdf | |
![]() | LL25XB60-7000 | LL25XB60-7000 ORIGINAL N A | LL25XB60-7000.pdf |