창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR6080PTE3/TU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | * | |
부품 현황 | 유효 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR6080PTE3/TU | |
관련 링크 | MBR6080P, MBR6080PTE3/TU 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
C1206C271JGGACTU | 270pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C271JGGACTU.pdf | ||
C2012X8R1H683M125AE | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X8R1H683M125AE.pdf | ||
T86D686M010ESSL | 68µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 350 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D686M010ESSL.pdf | ||
24OEGMA50 | FUSE 24KV 50AMP 2.5" OIL | 24OEGMA50.pdf | ||
445A33H25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33H25M00000.pdf | ||
K7M801825B-QC75000 | K7M801825B-QC75000 SAMSUNG QFP100 | K7M801825B-QC75000.pdf | ||
AAT3221IGV-2.5-T | AAT3221IGV-2.5-T ANALOGIC SOT23-5 | AAT3221IGV-2.5-T.pdf | ||
W5484 | W5484 VISHAY TO-92 | W5484.pdf | ||
THCB1D225 | THCB1D225 Hitachi SMD or Through Hole | THCB1D225.pdf | ||
D78214GC416 | D78214GC416 NEC QFP | D78214GC416.pdf | ||
KRA111M/P | KRA111M/P KEC TO-92M | KRA111M/P.pdf | ||
M5L8255AP | M5L8255AP INTEL O-NEWDIP | M5L8255AP.pdf |