창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR40030CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR40020CT thru MBR40040CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBR40030CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR40030CT | |
| 관련 링크 | MBR400, MBR40030CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UHV-223A | 700pF 20000V(20kV) 세라믹 커패시터 Z5T 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 1.181" Dia x 0.906" L(30.00mm x 23.00mm) | UHV-223A.pdf | ||
![]() | VJ0603D181MLXAJ | 180pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D181MLXAJ.pdf | |
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![]() | Y0007100K000A0L | RES 100K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y0007100K000A0L.pdf | |
![]() | 216DCJEAFA22E M6-C16H | 216DCJEAFA22E M6-C16H ATI BGA | 216DCJEAFA22E M6-C16H.pdf | |
![]() | MST9259D-LF-205 | MST9259D-LF-205 MSTAR SMD or Through Hole | MST9259D-LF-205.pdf | |
![]() | MDG250A1600V | MDG250A1600V ORIGINAL SMD or Through Hole | MDG250A1600V.pdf | |
![]() | KMM400VS101M20X35T2 | KMM400VS101M20X35T2 NIPPON SMD or Through Hole | KMM400VS101M20X35T2.pdf | |
![]() | WK2200270R5%A2 | WK2200270R5%A2 VISHAY SMD or Through Hole | WK2200270R5%A2.pdf | |
![]() | PUMD10.115 | PUMD10.115 PHA HK11 | PUMD10.115.pdf | |
![]() | T509N16KOF | T509N16KOF EUPEC SMD or Through Hole | T509N16KOF.pdf |