창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR3540 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR3520~3540R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 -평균 정류(Io) | 35A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 680mV @ 35A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1.5mA @ 20V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-4 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 1242-1230 MBR3540GN MBR3540GN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR3540 | |
관련 링크 | MBR3, MBR3540 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | CM309E20000000CHLT | 20MHz ±100ppm 수정 22pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E20000000CHLT.pdf | |
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![]() | 24FLZF-RSM1-TF(H)(LF) | 24FLZF-RSM1-TF(H)(LF) JST SMD or Through Hole | 24FLZF-RSM1-TF(H)(LF).pdf | |
![]() | MC85004BL | MC85004BL MOT SOP | MC85004BL.pdf | |
![]() | WW18XR510FTL | WW18XR510FTL ORIGINAL SMD | WW18XR510FTL.pdf | |
![]() | SC2005 B | SC2005 B LSI BGA | SC2005 B.pdf | |
![]() | UPD464336ALS1-A5 | UPD464336ALS1-A5 NEC LBGA | UPD464336ALS1-A5.pdf | |
![]() | 2703301 | 2703301 Coto SMD or Through Hole | 2703301.pdf | |
![]() | 216QCTALA15FG (E2400) | 216QCTALA15FG (E2400) ATI BGA | 216QCTALA15FG (E2400).pdf |