창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR300200CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR300150CT thru MBR300200CTR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 150A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 150A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 200V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBR300200CTR | |
관련 링크 | MBR3002, MBR300200CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D130FLCAJ | 13pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D130FLCAJ.pdf | |
![]() | ASTMHTFL-14.7456MHZ-AJ-E-T | 14.7456MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-14.7456MHZ-AJ-E-T.pdf | |
![]() | 744771233 | 330µH Shielded Wirewound Inductor 780mA 510 mOhm Max Nonstandard | 744771233.pdf | |
![]() | G3VM-21LR | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SMD (0.165", 4.20mm) | G3VM-21LR.pdf | |
![]() | Y16241K80000B24W | RES SMD 1.8K OHM 0.1% 1/5W 0805 | Y16241K80000B24W.pdf | |
![]() | 1515SQ-47NGEC | 1515SQ-47NGEC Coilcraft SMD | 1515SQ-47NGEC.pdf | |
![]() | PCF8883T/1 | PCF8883T/1 NXP 8SOIC | PCF8883T/1.pdf | |
![]() | M6D-4D | M6D-4D ORIGINAL DFN-16 | M6D-4D.pdf | |
![]() | HM5117800BJ-7 | HM5117800BJ-7 HITACHI SOJ28 | HM5117800BJ-7.pdf | |
![]() | RJ3-350VR47MF3 | RJ3-350VR47MF3 ELNA DIP | RJ3-350VR47MF3.pdf | |
![]() | M51943BML /B6 | M51943BML /B6 Mitsubishi SOT-89 | M51943BML /B6.pdf |