창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR300200CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR300150CT thru MBR300200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 150A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 150A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBR300200CTR | |
| 관련 링크 | MBR3002, MBR300200CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TH3B335M020E2700 | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1411 (3528 Metric) 2.7 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B335M020E2700.pdf | |
![]() | B65714J1000T001 | B65714J1000T001 epcos SMD or Through Hole | B65714J1000T001.pdf | |
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![]() | 19N402L18 | 19N402L18 AMERICAN-ZETTLER SMD or Through Hole | 19N402L18.pdf | |
![]() | J2778 | J2778 SI TO-92 | J2778.pdf | |
![]() | SN74CBT16214DGGR | SN74CBT16214DGGR TI 56-TSSOP | SN74CBT16214DGGR.pdf | |
![]() | BP2979DRAEB | BP2979DRAEB TI 8DIP | BP2979DRAEB.pdf | |
![]() | RCR1576 | RCR1576 ORIGINAL TSSOP-8 | RCR1576.pdf | |
![]() | 2N6758JANTXV | 2N6758JANTXV ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N6758JANTXV.pdf | |
![]() | MAX172BCWG | MAX172BCWG MAXIM SOP-24 | MAX172BCWG.pdf | |
![]() | WT95V2 | WT95V2 WANGTUNG DIP42 | WT95V2.pdf |