창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N2804B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N2804B-46RB, 1N4557B-64RB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 0.2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 4.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-204AD | |
| 공급 장치 패키지 | TO-204AD(TO-3) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N2804B | |
| 관련 링크 | 1N28, 1N2804B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | WKP102MCPED0KR | 1000pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | WKP102MCPED0KR.pdf | |
![]() | C0805C222G1GACTU | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C222G1GACTU.pdf | |
![]() | SQCAEM1R2BATME\500 | 1.2pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM1R2BATME\500.pdf | |
![]() | ECS-3953M-040-BN-TR | 4MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | ECS-3953M-040-BN-TR.pdf | |
![]() | BK32164S241-T | 240 Ohm Impedance Ferrite Bead 1206 (3216 Metric), Array, 8 PC Pad Surface Mount 200mA 4 Lines 300 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BK32164S241-T.pdf | |
![]() | ER3DTR-13 | ER3DTR-13 Microsemi DO-214AB | ER3DTR-13.pdf | |
![]() | ICS9LPRS918HKL | ICS9LPRS918HKL ICS QFN | ICS9LPRS918HKL.pdf | |
![]() | 3CT100A | 3CT100A CHINA SMD or Through Hole | 3CT100A.pdf | |
![]() | MB3878PFV-G-BNG-ER | MB3878PFV-G-BNG-ER FUJITSU SMD or Through Hole | MB3878PFV-G-BNG-ER.pdf | |
![]() | C1182 | C1182 NEC ZIP8 | C1182.pdf | |
![]() | X0605GE | X0605GE SHARP SMD or Through Hole | X0605GE.pdf | |
![]() | CTU36S | CTU36S SANKEN TO-247 | CTU36S.pdf |