창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-M4T28-BR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | M4T28-BR12 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | M4T28-BR12 | |
| 관련 링크 | M4T28-, M4T28-BR12 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37035CDR | 37MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37035CDR.pdf | |
![]() | 416F32035ALT | 32MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32035ALT.pdf | |
![]() | FR12J02 | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 | FR12J02.pdf | |
![]() | IPB025N10N3 G | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | IPB025N10N3 G.pdf | |
![]() | UC80265J | UC80265J TI DIP | UC80265J.pdf | |
![]() | FM25W64 | FM25W64 IR SOIC8 | FM25W64.pdf | |
![]() | S-8054 | S-8054 SEIKO TO-92 | S-8054.pdf | |
![]() | 683/100V | 683/100V ORIGINAL SMD or Through Hole | 683/100V.pdf | |
![]() | HT4953 | HT4953 HC SO-8 | HT4953.pdf | |
![]() | CY25404ZXI-006 | CY25404ZXI-006 CYPRESS TSSOP-20 | CY25404ZXI-006.pdf | |
![]() | 87C446N-4417 | 87C446N-4417 TOSHIBA DIP42 | 87C446N-4417.pdf | |
![]() | 075N03MS | 075N03MS INFINEON QFN | 075N03MS.pdf |