창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-M20R104K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | M20R104K5 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | M20R104K5 | |
| 관련 링크 | M20R1, M20R104K5 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | SG-615P 15.3600MB0: ROHS | 15.36MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 23mA Enable/Disable | SG-615P 15.3600MB0: ROHS.pdf | |
![]() | LQH55DN330M03L | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 448 mOhm Max 2220 (5750 Metric) | LQH55DN330M03L.pdf | |
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![]() | KA22495=TA7358P | KA22495=TA7358P SAM SIP-9 | KA22495=TA7358P.pdf | |
![]() | A3R12E4JFF-G8EPZ DDR2 512M | A3R12E4JFF-G8EPZ DDR2 512M ZENTEL SMD or Through Hole | A3R12E4JFF-G8EPZ DDR2 512M.pdf | |
![]() | MBR30H100CTF-E1,MBR30H100CTF | MBR30H100CTF-E1,MBR30H100CTF BCD SMD or Through Hole | MBR30H100CTF-E1,MBR30H100CTF.pdf | |
![]() | 2AH-0.5dB | 2AH-0.5dB INMET SMD or Through Hole | 2AH-0.5dB.pdf | |
![]() | NCP5438MN | NCP5438MN ON QFN-32 | NCP5438MN.pdf | |
![]() | HM6788P-15 /25 | HM6788P-15 /25 HIT DIP | HM6788P-15 /25.pdf | |
![]() | PQ1R50 (5.0V) | PQ1R50 (5.0V) SHARP SOT23L-6 | PQ1R50 (5.0V).pdf |