창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LQP15MN1N3B02D(LQP10A1N3B02T1M00-01 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LQP15MN1N3B02D(LQP10A1N3B02T1M00-01 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LQP15MN1N3B02D(LQP10A1N3B02T1M00-01 | |
| 관련 링크 | LQP15MN1N3B02D(LQP10A, LQP15MN1N3B02D(LQP10A1N3B02T1M00-01 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GJM0335C1E8R9CB01D | 8.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E8R9CB01D.pdf | |
| SI5410DU-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET | SI5410DU-T1-GE3.pdf | ||
![]() | UU9LFBNP-B322 | 6.3mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 200mA DCR 1.66 Ohm | UU9LFBNP-B322.pdf | |
![]() | CV201210-3R3K | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 800 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CV201210-3R3K.pdf | |
![]() | CBT25J470R | RES 470 OHM 1/4W 5% AXIAL | CBT25J470R.pdf | |
![]() | WW12FT196R | RES 196 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FT196R.pdf | |
![]() | DM74LS54 | DM74LS54 NS DIP | DM74LS54.pdf | |
![]() | MAX5886EGK-D | MAX5886EGK-D MAXIM SOP | MAX5886EGK-D.pdf | |
![]() | MC14403LI | MC14403LI MOT DIP | MC14403LI.pdf | |
![]() | 1706219 | 1706219 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1706219.pdf | |
![]() | BD33KA5FR-E2 | BD33KA5FR-E2 ROHM TO-252 | BD33KA5FR-E2.pdf |