창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5410DU-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI5410DU | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 31W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 단일 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 단일 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5410DU-T1-GE3TR SI5410DUT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI5410DU-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5410DU-, SI5410DU-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SFR16S0002002JR500 | RES 20K OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR16S0002002JR500.pdf | |
![]() | CPR07R1000KE10 | RES 0.1 OHM 7W 10% RADIAL | CPR07R1000KE10.pdf | |
![]() | CDP68HC68PIE | CDP68HC68PIE HARRIS DIP | CDP68HC68PIE.pdf | |
![]() | HC1-55516-9 | HC1-55516-9 HAR DIP14 | HC1-55516-9.pdf | |
![]() | NC7S04L6X TEL:82766440 | NC7S04L6X TEL:82766440 FAIRCHILD SMD or Through Hole | NC7S04L6X TEL:82766440.pdf | |
![]() | NSH-80DB-SR2-TG | NSH-80DB-SR2-TG TYC SMD or Through Hole | NSH-80DB-SR2-TG.pdf | |
![]() | 69693-1 | 69693-1 TYCO SMD or Through Hole | 69693-1.pdf | |
![]() | CIC93100F | CIC93100F CIC QFP | CIC93100F.pdf | |
![]() | MJHS-G5-88-8B-GF5-30 | MJHS-G5-88-8B-GF5-30 MAXCONN SMD or Through Hole | MJHS-G5-88-8B-GF5-30.pdf | |
![]() | HVU131TRF TEL:82766440 | HVU131TRF TEL:82766440 HITACHI SOD-323 | HVU131TRF TEL:82766440.pdf | |
![]() | SLF7032-330 | SLF7032-330 ORIGINAL SMD or Through Hole | SLF7032-330.pdf |