창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LQN3NR27M92M00-100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LQN3NR27M92M00-100 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LQN3NR27M92M00-100 | |
| 관련 링크 | LQN3NR27M9, LQN3NR27M92M00-100 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D0R7CLCAP | 0.70pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R7CLCAP.pdf | |
![]() | GRM0335C1H5R8CD01D | 5.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H5R8CD01D.pdf | |
![]() | SI2338DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 | SI2338DS-T1-GE3.pdf | |
![]() | HZB6.8ZMFATL | HZB6.8ZMFATL HITACHI SOT-353 | HZB6.8ZMFATL.pdf | |
![]() | TDD1612S | TDD1612S ITT TO-220 | TDD1612S.pdf | |
![]() | BLM41PG181SH1B | BLM41PG181SH1B muRata SMD or Through Hole | BLM41PG181SH1B.pdf | |
![]() | DS-07(B)-V | DS-07(B)-V DIP SMD or Through Hole | DS-07(B)-V.pdf | |
![]() | F65550-A | F65550-A ALTERA PLCC20 | F65550-A.pdf | |
![]() | TLE4921M5U | TLE4921M5U INFENION DIP4 | TLE4921M5U.pdf | |
![]() | HD64F2314VTE25 | HD64F2314VTE25 Renesas SMD or Through Hole | HD64F2314VTE25.pdf |