창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2338DS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2338DS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 424pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2338DS-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2338DS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2338DS-, SI2338DS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ATS041C-E | 4.194304MHz ±30ppm 수정 12pF 120옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS041C-E.pdf | |
![]() | TNPW2010187RBEEY | RES SMD 187 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010187RBEEY.pdf | |
![]() | 752121103GP | RES ARRAY 11 RES 10K OHM 12SRT | 752121103GP.pdf | |
![]() | IGP01N120H2 | IGP01N120H2 infineon TO-220 | IGP01N120H2.pdf | |
![]() | M12001-A042SP | M12001-A042SP MITSUB DIP64 | M12001-A042SP.pdf | |
![]() | TBC5001-0110910 | TBC5001-0110910 HOSHIDEN SMD or Through Hole | TBC5001-0110910.pdf | |
![]() | 1SR154-400(TE25) | 1SR154-400(TE25) AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1SR154-400(TE25).pdf | |
![]() | P1168.563NL | P1168.563NL PULSE SMD | P1168.563NL.pdf | |
![]() | S81225SGQHT1 | S81225SGQHT1 SEIKO SMD or Through Hole | S81225SGQHT1.pdf | |
![]() | 223891115653- | 223891115653- YAGEO SMD | 223891115653-.pdf | |
![]() | D9701CT | D9701CT NEC SMD or Through Hole | D9701CT.pdf | |
![]() | SLA5080 | SLA5080 SANKEN ZIP | SLA5080.pdf |