창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LNY2W562MSEG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | LNY Series Snap-In Terminal, Terminal-Shape Screw Terminal Type, Dimension of Bracket/Bushing | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | LNY | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 5600µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 17A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 1.126"(28.60mm) | |
크기/치수 | 2.500" Dia(63.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 6.496"(165.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | 493-9280 LNY2W562MSEG-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | LNY2W562MSEG | |
관련 링크 | LNY2W56, LNY2W562MSEG 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
MSRTA600120(A) | DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER | MSRTA600120(A).pdf | ||
DSM10G-TR-E | DIODE GEN PURP 600V 1A SMD | DSM10G-TR-E.pdf | ||
LI21441-PF | LI21441-PF LIGITEK ROHS | LI21441-PF.pdf | ||
PLA10AS3030R4R2M | PLA10AS3030R4R2M MURATA DIP-4 | PLA10AS3030R4R2M.pdf | ||
458537-2 | 458537-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 458537-2.pdf | ||
SDNT1608X333K4050HTF | SDNT1608X333K4050HTF ORIGINAL SMD or Through Hole | SDNT1608X333K4050HTF.pdf | ||
AT28C17-20PC | AT28C17-20PC ATMEL DIP | AT28C17-20PC .pdf | ||
SN74AC08QPWRG4Q1 | SN74AC08QPWRG4Q1 TI SMD or Through Hole | SN74AC08QPWRG4Q1.pdf | ||
SU30-110S05-EA | SU30-110S05-EA SUCCEED SMD or Through Hole | SU30-110S05-EA.pdf | ||
ASFL3 12.0000MHZ-E-C-S-T | ASFL3 12.0000MHZ-E-C-S-T ORIGINAL SMD | ASFL3 12.0000MHZ-E-C-S-T.pdf | ||
PEB55008EV1.2 | PEB55008EV1.2 INFINEON QFP | PEB55008EV1.2.pdf | ||
PBSS5420D,115 | PBSS5420D,115 NXPSemiconductors SMD or Through Hole | PBSS5420D,115.pdf |