창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-LC321667DT-25-MPB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | LC321667DT-25-MPB | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | LC321667DT-25-MPB | |
| 관련 링크 | LC321667DT, LC321667DT-25-MPB 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D1R2CLCAJ | 1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R2CLCAJ.pdf | |
![]() | SIT8918BET83-33E-66.667000T | OSC XO T DRIVE 3.3V 66.667MHZ OE | SIT8918BET83-33E-66.667000T.pdf | |
| SI7218DN-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | SI7218DN-T1-E3.pdf | ||
| SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | SI7460DP-T1-GE3.pdf | ||
![]() | 103-822J | 8.2µH Unshielded Inductor 195mA 2.5 Ohm Max 2-SMD | 103-822J.pdf | |
![]() | TA8916AN | TA8916AN PHI DIP | TA8916AN.pdf | |
![]() | CDR31BX183AKWR | CDR31BX183AKWR AVX/KEMET SMD or Through Hole | CDR31BX183AKWR.pdf | |
![]() | DF11-20DP-2V(57) | DF11-20DP-2V(57) HRS SMD or Through Hole | DF11-20DP-2V(57).pdf | |
![]() | 68802-0009 | 68802-0009 MOLEX SMD or Through Hole | 68802-0009.pdf | |
![]() | AM50002. | AM50002. ORIGINAL SOP-8 | AM50002..pdf | |
![]() | SSM222O | SSM222O AD DIP | SSM222O.pdf |