IXYS IXTU01N100D

IXTU01N100D
제조업체 부품 번호
IXTU01N100D
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
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내부 부품 번호EIS-IXTU01N100D
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IXT(P,U,Y)01N100D
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100mA(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs80옴 @ 50mA, 0V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds120pF @ 25V
전력 - 최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지TO-251
표준 포장 75
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXTU01N100D
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