창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP90N15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P,Q)90N15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 455W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP90N15T | |
| 관련 링크 | IXTP90, IXTP90N15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 201R07S0R5AV4T | 0.50pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 201R07S0R5AV4T.pdf | |
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![]() | BAC02BCF | BAC02BCF ROHM SMD or Through Hole | BAC02BCF.pdf | |
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![]() | KS24C041C | KS24C041C Samsung 8DIP50TUBE | KS24C041C.pdf | |
![]() | U3550BMAFLG3 | U3550BMAFLG3 atmel SMD or Through Hole | U3550BMAFLG3.pdf | |
![]() | F65550B2 | F65550B2 CHIPS QFP | F65550B2.pdf | |
![]() | AM29C660EJC/DJC | AM29C660EJC/DJC AMD PLCC | AM29C660EJC/DJC.pdf | |
![]() | FSA223UMX_F113 | FSA223UMX_F113 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FSA223UMX_F113.pdf |