창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP90N15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P,Q)90N15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 455W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP90N15T | |
| 관련 링크 | IXTP90, IXTP90N15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | E81D401VND821MA60T | CAP ALUM 820UF 400V RADIAL | E81D401VND821MA60T.pdf | |
![]() | SMDJ45C | TVS DIODE 45VWM 76.34VC SMD | SMDJ45C.pdf | |
![]() | 100-561F | 560nH Unshielded Inductor 185mA 450 mOhm Max Nonstandard, 2 Lead | 100-561F.pdf | |
![]() | RV1206FR-071M27L | RES SMD 1.27M OHM 1% 1/4W 1206 | RV1206FR-071M27L.pdf | |
![]() | PSP700JB-1K5 | RES 1.5K OHM 7W 5% AXIAL | PSP700JB-1K5.pdf | |
![]() | BA4510F-E2(TDA | BA4510F-E2(TDA ROHM SMD or Through Hole | BA4510F-E2(TDA.pdf | |
![]() | R2J10192GA-A00DDU0 | R2J10192GA-A00DDU0 RENESAS SMD or Through Hole | R2J10192GA-A00DDU0.pdf | |
![]() | ABW102G | ABW102G ORIGINAL SMD or Through Hole | ABW102G.pdf | |
![]() | MACH110-120JC | MACH110-120JC AMD PLCC | MACH110-120JC.pdf | |
![]() | DV2R024N11E | DV2R024N11E JAE SMD or Through Hole | DV2R024N11E.pdf | |
![]() | WM8741-6060-DS28-E | WM8741-6060-DS28-E ORIGINAL SMD or Through Hole | WM8741-6060-DS28-E.pdf | |
![]() | H01N60I | H01N60I HSMC TO-251 | H01N60I.pdf |