창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTP14N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Q) 14N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTP14N60P | |
| 관련 링크 | IXTP14, IXTP14N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | FK3503010L | MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3 | FK3503010L.pdf | |
![]() | UCR18EVHJSR039 | RES SMD 0.039 OHM 5% 1/2W 1206 | UCR18EVHJSR039.pdf | |
![]() | Y00608K00000T0L | RES 8K OHM 1/4W 0.01% AXIAL | Y00608K00000T0L.pdf | |
![]() | AL0510ST-102K-N | AL0510ST-102K-N CHILISIN DIP | AL0510ST-102K-N.pdf | |
![]() | DP83261VF | DP83261VF NI QFP | DP83261VF.pdf | |
![]() | CPH3212 | CPH3212 SANYO SMD or Through Hole | CPH3212.pdf | |
![]() | T7300-SLA3P 2.00/4M/800 | T7300-SLA3P 2.00/4M/800 Intel BGA | T7300-SLA3P 2.00/4M/800.pdf | |
![]() | GD134 | GD134 TIX TO-3P | GD134.pdf | |
![]() | CD5712 | CD5712 MICROSEMI SMD | CD5712.pdf | |
![]() | 74VHCT574ADTR2 | 74VHCT574ADTR2 ON TSSOP-20 | 74VHCT574ADTR2.pdf | |
![]() | HMU65764F-5 | HMU65764F-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | HMU65764F-5.pdf | |
![]() | BF310 | BF310 ORIGINAL to-92 | BF310.pdf |