창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH15N50L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P)15N50L2 | |
| 주요제품 | Linear L2™ MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH15N50L2 | |
| 관련 링크 | IXTH15, IXTH15N50L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 9C-48.000MAAJ-T | 48MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-48.000MAAJ-T.pdf | |
![]() | G6AK-234P-ST-US-DC9 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6AK-234P-ST-US-DC9.pdf | |
![]() | PAL10L8MW/883B | PAL10L8MW/883B AMD Call | PAL10L8MW/883B.pdf | |
![]() | LC864512V-5GD | LC864512V-5GD ORIGINAL DIP | LC864512V-5GD.pdf | |
![]() | CM71C256A-80 | CM71C256A-80 NS DIP | CM71C256A-80.pdf | |
![]() | CS9927 | CS9927 ORIGINAL DIP | CS9927.pdf | |
![]() | PEB20320H V3.4 | PEB20320H V3.4 INF QFP | PEB20320H V3.4.pdf | |
![]() | IDT74LVC1G86ADYT TEL:82766440 | IDT74LVC1G86ADYT TEL:82766440 INTDEVTEC SOT153 | IDT74LVC1G86ADYT TEL:82766440.pdf | |
![]() | F30J(Code)E | F30J(Code)E ORIGINAL SMD or Through Hole | F30J(Code)E.pdf | |
![]() | LE30ABZAP | LE30ABZAP ST SMD or Through Hole | LE30ABZAP.pdf | |
![]() | 32H569 | 32H569 ORIGINAL 7.2S | 32H569.pdf | |
![]() | SUR541J | SUR541J AUK SOT-353 | SUR541J.pdf |