창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTB30N100L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTB30N100L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 500mA, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 545nC(20V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 800W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTB30N100L | |
| 관련 링크 | IXTB30, IXTB30N100L 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SS32C | SS32C MIC/TOSHIBA/ DO-214AB(SMC) | SS32C.pdf | |
![]() | PEF82913HV1.3 | PEF82913HV1.3 ORIGINAL SMD or Through Hole | PEF82913HV1.3.pdf | |
![]() | M3062OM26 | M3062OM26 ORIGINAL QFP | M3062OM26.pdf | |
![]() | MPL73-0R1IN | MPL73-0R1IN DEL SMD | MPL73-0R1IN.pdf | |
![]() | TBC15DS | TBC15DS ZHONGXU SMD or Through Hole | TBC15DS.pdf | |
![]() | BT8370EPF28370-23 | BT8370EPF28370-23 CONEXANT PLCC-80 | BT8370EPF28370-23.pdf | |
![]() | ADDAGASECLCZ | ADDAGASECLCZ MOT SMD or Through Hole | ADDAGASECLCZ.pdf | |
![]() | CS2012C0G100D500NR | CS2012C0G100D500NR SAMWHA SMD or Through Hole | CS2012C0G100D500NR.pdf | |
![]() | KM41C4000AJ-10 | KM41C4000AJ-10 SAMSUNG SOJ | KM41C4000AJ-10.pdf | |
![]() | TLLY4400-MS12 | TLLY4400-MS12 VISHAY 2010 | TLLY4400-MS12.pdf |