창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGV50H120T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTGV50H120T3G Power Products Catalog | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 풀 브리지 인버터 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 75A | |
전력 - 최대 | 270W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.6nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTGV50H120T3G | |
관련 링크 | APTGV50H, APTGV50H120T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CMF0747R000JNBF | RES 47 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF0747R000JNBF.pdf | |
![]() | 315300150007 | LOW HERMETIC THERMOSTAT | 315300150007.pdf | |
![]() | GP10QI TR | GP10QI TR ORIGINAL SMD or Through Hole | GP10QI TR.pdf | |
![]() | C0603C0G1E020BTQ | C0603C0G1E020BTQ TDK SMD or Through Hole | C0603C0G1E020BTQ.pdf | |
![]() | D78214CWC84 | D78214CWC84 NEC SMD or Through Hole | D78214CWC84.pdf | |
![]() | EEUFC1C560 | EEUFC1C560 NIPPON DIP-2 | EEUFC1C560.pdf | |
![]() | CHP-150-F30SSB | CHP-150-F30SSB TOKYO SMD or Through Hole | CHP-150-F30SSB.pdf | |
![]() | ES2820SX | ES2820SX ESS QFP | ES2820SX.pdf | |
![]() | S7120 | S7120 Fairchild TO-92S | S7120.pdf | |
![]() | MCP6S21/P | MCP6S21/P MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP6S21/P.pdf | |
![]() | SN65ALS1176DE4 | SN65ALS1176DE4 TI SOIC | SN65ALS1176DE4.pdf | |
![]() | B37979-N1101-J054 | B37979-N1101-J054 EPCOS DIP | B37979-N1101-J054.pdf |