창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA50N20P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P,Q)50N20P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2720pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTA50N20P | |
관련 링크 | IXTA50, IXTA50N20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
SZMMSZ8V2T1G | DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123 | SZMMSZ8V2T1G.pdf | ||
PE-1008CD222KTT | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 2.8 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CD222KTT.pdf | ||
Y078537K3560T0L | RES 37.356K OHM 0.6W 0.01% RAD | Y078537K3560T0L.pdf | ||
CY8C20140-LDX2I | Capacitive Touch Buttons 16-QFN (3x3) | CY8C20140-LDX2I.pdf | ||
JW100A61 | JW100A61 Lucent SMD or Through Hole | JW100A61.pdf | ||
SUD30N03-59 | SUD30N03-59 VISHAY TO-252 | SUD30N03-59.pdf | ||
BStE4033M | BStE4033M SIEMENS SMD or Through Hole | BStE4033M.pdf | ||
54F251A | 54F251A f DIP | 54F251A.pdf | ||
SN74ALVTH16245A | SN74ALVTH16245A TI SSOP | SN74ALVTH16245A.pdf | ||
MAX6725KASYD3+ | MAX6725KASYD3+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX6725KASYD3+.pdf | ||
HA6433712C960 | HA6433712C960 NEC QFP | HA6433712C960.pdf |