창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFV16N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)16N80P, IXFV16N80P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3, 짧은 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFV16N80P | |
| 관련 링크 | IXFV16, IXFV16N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RUEF090S | POLYSWITCH PTC RESET 0.9A STRGT | RUEF090S.pdf | |
![]() | CRCW04021K74FKTD | RES SMD 1.74K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04021K74FKTD.pdf | |
![]() | Y000732K0000A9L | RES 32K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y000732K0000A9L.pdf | |
![]() | DLH36117KBF51CQC | DLH36117KBF51CQC DSP QFP-100 | DLH36117KBF51CQC.pdf | |
![]() | LM5000SD-1 | LM5000SD-1 NS QFN | LM5000SD-1.pdf | |
![]() | 09-021100000 | 09-021100000 TOKO 10M | 09-021100000.pdf | |
![]() | SI8023 | SI8023 SANKEN SMD or Through Hole | SI8023.pdf | |
![]() | 1SS377TE85L | 1SS377TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS377TE85L.pdf | |
![]() | P0455NL | P0455NL PULSE SMD or Through Hole | P0455NL.pdf | |
![]() | WM8782EDS/R | WM8782EDS/R WM SSOP-20 | WM8782EDS/R.pdf | |
![]() | RM06F3321CT | RM06F3321CT CalChip SMD or Through Hole | RM06F3321CT.pdf | |
![]() | U4791BM | U4791BM TFK SMD or Through Hole | U4791BM.pdf |