창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK100N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)100N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK100N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFK100, IXFK100N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | 561R10TCCV39 | 3.9pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.252" Dia(6.40mm) | 561R10TCCV39.pdf | |
|  | SIT8208AI-8-33E | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Enable/Disable | SIT8208AI-8-33E.pdf | |
|  | TRS12E65C,S1Q | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L | TRS12E65C,S1Q.pdf | |
| .jpg) | RC0603DR-0744K2L | RES SMD 44.2KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-0744K2L.pdf | |
| .jpg) | AR0805FR-07470RL | RES SMD 470 OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-07470RL.pdf | |
|  | RT1N431CT121 | RT1N431CT121 ORIGINAL SMD or Through Hole | RT1N431CT121.pdf | |
|  | TC915CPD | TC915CPD TELCOM DIP14 | TC915CPD.pdf | |
|  | NTD3055L104G | NTD3055L104G ONS DPAK(TO-252) | NTD3055L104G .pdf | |
|  | S6367 | S6367 MC SOP-8 | S6367.pdf | |
|  | STTH8R-06D | STTH8R-06D ST TO-220F | STTH8R-06D.pdf | |
|  | NEF0100331B | NEF0100331B CELESTICACORPORATION ORIGINAL | NEF0100331B.pdf | |
|  | FE10AB3-C | FE10AB3-C ORIGINAL SMD or Through Hole | FE10AB3-C.pdf |