창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH70N30Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx70N30Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4735pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 830W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH70N30Q3 | |
관련 링크 | IXFH70, IXFH70N30Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | PSMN6R5-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | PSMN6R5-80BS,118.pdf | |
![]() | CFK2162-P1 | CFK2162-P1 CF SMD | CFK2162-P1.pdf | |
![]() | 222236576104- | 222236576104- VISHAY DIP | 222236576104-.pdf | |
![]() | F93S47 | F93S47 ORIGINAL DIP-16 | F93S47.pdf | |
![]() | TT251N12 | TT251N12 ORIGINAL SMD or Through Hole | TT251N12.pdf | |
![]() | MBZ880A | MBZ880A ORIGINAL SMD or Through Hole | MBZ880A.pdf | |
![]() | 1N2281 | 1N2281 MICROSEMI SMD | 1N2281.pdf | |
![]() | ECG159 | ECG159 ECG NA | ECG159.pdf | |
![]() | CTC-YC164-JR-0710K | CTC-YC164-JR-0710K ORIGINAL SMD or Through Hole | CTC-YC164-JR-0710K.pdf | |
![]() | EFCH851MTCA6 | EFCH851MTCA6 panasonic SMD or Through Hole | EFCH851MTCA6.pdf | |
![]() | AM27C256-120/B | AM27C256-120/B AMD DIP | AM27C256-120/B.pdf | |
![]() | KSC5027FOTU | KSC5027FOTU SAMSUNG TR | KSC5027FOTU.pdf |