창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH16N50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(A,H,P)16N50P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 611778 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH16N50P | |
| 관련 링크 | IXFH16, IXFH16N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CC0201CRNPO8BN4R7 | 4.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CC0201CRNPO8BN4R7.pdf | |
![]() | 416F37433CDT | 37.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37433CDT.pdf | |
![]() | RE0603DRE07510RL | RES SMD 510 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RE0603DRE07510RL.pdf | |
![]() | CRCW12062R20FNTA | RES SMD 2.2 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12062R20FNTA.pdf | |
![]() | INA12U | INA12U BB SMD | INA12U.pdf | |
![]() | CYT2606-50 | CYT2606-50 CYT SOT-89 SOT-23-5 | CYT2606-50.pdf | |
![]() | PTF080901F | PTF080901F INFINEON SMD or Through Hole | PTF080901F.pdf | |
![]() | TC4W66F /4W66F | TC4W66F /4W66F TOSHIBA SMD or Through Hole | TC4W66F /4W66F.pdf | |
![]() | TEP686K016SCS | TEP686K016SCS AVX DIP | TEP686K016SCS.pdf | |
![]() | F0503D-1W | F0503D-1W MORNSU DIP4 | F0503D-1W.pdf | |
![]() | MP821-2.00-1% | MP821-2.00-1% Caddock TO-220 | MP821-2.00-1%.pdf | |
![]() | PF575C/PCF8575 | PF575C/PCF8575 TI SSOP24() | PF575C/PCF8575.pdf |